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电子元器件详细资料 » IC[27126] » SI5429DU-T1-GE3
型号:SI5429DU-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? CHIPFET? 双描述:MOSF P CH 30V 12A PWR PK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSF P CH 30V 12A PWR PK
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C12A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C15 毫欧 @ 7A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.2V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs63nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds2320pF @ 15V
功率_最大31W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? CHIPFET? 双
供应商设备封装PowerPAK? ChipFet 双
包装Digi-Reel®

供应商

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SI5429DU-T1-GE3相关型号

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